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SSM3J35MFV,L3F
- Modelo do Produto:
- SSM3J35MFV,L3F
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13877 Pieces
- Ficha de dados:
- SSM3J35MFV,L3F.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SSM3J35MFV,L3F, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SSM3J35MFV,L3F por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | VESM |
| Série: | π-MOSVI |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 8 Ohm @ 50mA, 4V |
| Dissipação de energia (Max): | 150mW (Ta) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | SOT-723 |
| Outros nomes: | SSM3J35MFV(TL3T)DKR SSM3J35MFV(TL3T)DKR-ND SSM3J35MFVL3FDKR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | SSM3J35MFV,L3F |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 12.2pF @ 3V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 20V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 20V 0.1A VESM |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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