SSM3K35CTC,L3F
SSM3K35CTC,L3F
Modelo do Produto:
SSM3K35CTC,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 20V 0.18A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14874 Pieces
Ficha de dados:
SSM3K35CTC,L3F.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 100µA
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:CST3C
Série:U-MOSIII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.1 Ohm @ 150mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-101, SOT-883
Outros nomes:SSM3K35CTC,L3F(B
SSM3K35CTC,L3F(T
SSM3K35CTCL3F
SSM3K35CTCL3FTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM3K35CTC,L3F
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:36pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:0.34nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 20V 250mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount CST3C
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N-CH 20V 0.18A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:250mA (Ta)
Email:[email protected]

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