SSM6J207FE,LF
SSM6J207FE,LF
Modelo do Produto:
SSM6J207FE,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16073 Pieces
Ficha de dados:
1.SSM6J207FE,LF.pdf2.SSM6J207FE,LF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 1mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ES6 (1.6x1.6)
Série:U-MOSII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:251 mOhm @ 650mA, 10V
Dissipação de energia (Max):500mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:SSM6J207FE(TE85L,F
SSM6J207FE(TE85LFTR
SSM6J207FE(TE85LFTR-ND
SSM6J207FE,LF(CA
SSM6J207FETE85LF
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM6J207FE,LF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:137pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.4A (Ta)
Email:[email protected]

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