SSM6J502NU,LF(T
SSM6J502NU,LF(T
Modelo do Produto:
SSM6J502NU,LF(T
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15427 Pieces
Ficha de dados:
SSM6J502NU,LF(T.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-UDFNB (2x2)
Série:U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:23.1 mOhm @ 4A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes:SSM6J502NU,LF
SSM6J502NU,LF(B
SSM6J502NULF
SSM6J502NULF(TTR
SSM6J502NULFTR
SSM6J502NULFTR-ND
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM6J502NU,LF(T
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1800pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:24.8nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P CH 20V 6A 2-2AA1A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Ta)
Email:[email protected]

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