SSM6L09FUTE85LF
SSM6L09FUTE85LF
Modelo do Produto:
SSM6L09FUTE85LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17494 Pieces
Ficha de dados:
SSM6L09FUTE85LF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.8V @ 100µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:US6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:700 mOhm @ 200MA, 10V
Power - Max:300mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:SSM6L09FU (TE85L,F)
SSM6L09FU(TE85L,F)
SSM6L09FUTE85LFTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM6L09FUTE85LF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:20pF @ 5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 30V 400mA, 200mA 300mW Surface Mount US6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:400mA, 200mA
Email:[email protected]

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