SSM6L35FU(TE85L,F)
SSM6L35FU(TE85L,F)
Modelo do Produto:
SSM6L35FU(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14820 Pieces
Ficha de dados:
SSM6L35FU(TE85L,F).pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:US6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3 Ohm @ 50mA, 4V
Power - Max:200mW
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes:SSM6L35FU(TE85LF)DKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SSM6L35FU(TE85L,F)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9.5pF @ 3V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate, 1.2V Drive
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 20V 180mA, 100mA 200mW Surface Mount US6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET N/P-CH 20V 0.18A/0.1A US6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:180mA, 100mA
Email:[email protected]

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