Comprar TN5325N3-G com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-92-3 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 7 Ohm @ 1A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 740mW (Ta) |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Temperatura de operação: | - |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 13 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | TN5325N3-G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 110pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 250V 215mA (Ta) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 250V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 215mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |