TPC8212-H(TE12LQ,M
Modelo do Produto:
TPC8212-H(TE12LQ,M
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12416 Pieces
Ficha de dados:
1.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf2.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.3V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP (5.5x6.0)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:21 mOhm @ 3A, 10V
Power - Max:450mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TPC8212-H(TE12LQ,M
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:840pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

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