Comprar TPN1600ANH,L1Q com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Série: | U-MOSVIII-H |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 16 mOhm @ 8.5A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 700mW (Ta), 42W (Tc) |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | 8-PowerVDFN |
Outros nomes: | TPN1600ANH,L1Q(M TPN1600ANHL1QTR |
Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
Número de peça do fabricante: | TPN1600ANH,L1Q |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1600pF @ 50V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 19nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 100V 17A (Tc) 700mW (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
Descrição: | MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
Email: | [email protected] |