US6J11TR
Modelo do Produto:
US6J11TR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14542 Pieces
Ficha de dados:
US6J11TR.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:UMT6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Power - Max:320mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:US6J11TR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.4nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1.3A 320mW Surface Mount UMT6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET 2P-CH 12V 1.3A TUMT6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:1.3A
Email:[email protected]

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