ZXMN3AM832TA
ZXMN3AM832TA
Modelo do Produto:
ZXMN3AM832TA
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18845 Pieces
Ficha de dados:
ZXMN3AM832TA.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-MLP (3x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 2.5A, 10V
Power - Max:1.13W
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:8-VDFN Exposed Pad
Outros nomes:ZXMN3AM832CT
ZXMN3AM832TA-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:ZXMN3AM832TA
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:190pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:3.9nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 2.9A 1.13W Surface Mount 8-MLP (3x2)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.9A
Email:[email protected]

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