APT58MJ50J
Modelo do Produto:
APT58MJ50J
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18413 Pieces
Ficha de dados:
APT58MJ50J.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:ISOTOP®
Série:POWER MOS 8™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:65 mOhm @ 42A, 10V
Dissipação de energia (Max):540W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:APT58MJ50J
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:340nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 500V 58A (Tc) 540W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):500V
Descrição:MOSFET N-CH 500V 58A ISOTOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

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