APTM100A12STG
Modelo do Produto:
APTM100A12STG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16955 Pieces
Ficha de dados:
APTM100A12STG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 10mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:120 mOhm @ 34A, 10V
Power - Max:1250W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP3
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:APTM100A12STG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:17400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:616nC @ 10V
Tipo FET:2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET:Standard
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 68A 1250W Chassis Mount SP3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:68A
Email:[email protected]

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