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APTM100A13DG
- Modelo do Produto:
- APTM100A13DG
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15475 Pieces
- Ficha de dados:
- APTM100A13DG.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para APTM100A13DG, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para APTM100A13DG por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5V @ 6mA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SP6 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 156 mOhm @ 32.5A, 10V |
| Power - Max: | 1250W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | SP6 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 22 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | APTM100A13DG |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 15200pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 562nC @ 10V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET: | Standard |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1000V (1kV) 65A 1250W Chassis Mount SP6 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1000V (1kV) |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 1000V 65A SP6 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 65A |
| Email: | [email protected] |
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