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APTSM120AM08CT6AG
- Modelo do Produto:
- APTSM120AM08CT6AG
- Fabricante:
- Microsemi
- Descrição:
- POWER MODULE - SIC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15885 Pieces
- Ficha de dados:
- APTSM120AM08CT6AG.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 10mA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SP6 |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 10 mOhm @ 200A, 20V |
| Power - Max: | 2300W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | SP6 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Chassis Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 22 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | APTSM120AM08CT6AG |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 1360nC @ 20V |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Característica FET: | Silicon Carbide (SiC) |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual), Schottky 1200V (1.2kV) 370A (Tc) 2300W Chassis Mount SP6 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrição: | POWER MODULE - SIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 370A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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