APTSM120TAM33CTPAG
Modelo do Produto:
APTSM120TAM33CTPAG
Fabricante:
Microsemi
Descrição:
POWER MODULE - SIC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13503 Pieces
Ficha de dados:
APTSM120TAM33CTPAG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 3mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:SP6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:33 mOhm @ 60A, 20V
Power - Max:714W
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:SP6
Temperatura de operação:-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:22 Weeks
Número de peça do fabricante:APTSM120TAM33CTPAG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7680pF @ 1000V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:408nC @ 20V
Tipo FET:6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Característica FET:Silicon Carbide (SiC)
Descrição expandida:Mosfet Array 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 1200V (1.2kV) 112A (Tc) 714W Chassis Mount SP6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1200V (1.2kV)
Descrição:POWER MODULE - SIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:112A (Tc)
Email:[email protected]

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