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BSB104N08NP3GXUSA1
- Modelo do Produto:
- BSB104N08NP3GXUSA1
- Descrição:
- MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14585 Pieces
- Ficha de dados:
- BSB104N08NP3GXUSA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para BSB104N08NP3GXUSA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para BSB104N08NP3GXUSA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 40µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Série: | OptiMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 10.4 mOhm @ 10A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.8W (Ta), 42W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 3-WDSON |
| Outros nomes: | SP001164330 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | BSB104N08NP3GXUSA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2100pF @ 40V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 80V 13A (Ta), 50A (Tc) 2.8W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 80V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 80V 13A 2WDSON |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta), 50A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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