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BSM180D12P2C101
- Modelo do Produto:
- BSM180D12P2C101
- Fabricante:
- LAPIS Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13342 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.BSM180D12P2C101.pdf2.BSM180D12P2C101.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 35.2mA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | Module |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | - |
| Power - Max: | 1130W |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | Module |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | BSM180D12P2C101 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 23000pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Característica FET: | Standard |
| Descrição expandida: | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 180A 1130W Module |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 1200V (1.2kV) |
| Descrição: | MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 180A |
| Email: | [email protected] |
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