Comprar SI3588DV-T1-E3 com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 450mV @ 250µA (Min) |
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Embalagem do dispositivo fornecedor: | 6-TSOP |
Série: | TrenchFET® |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 80 mOhm @ 3A, 4.5V |
Power - Max: | 830mW, 83mW |
Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
Caixa / Gabinete: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Outros nomes: | SI3588DV-T1-E3TR SI3588DVT1E3 |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | SI3588DV-T1-E3 |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 7.5nC @ 4.5V |
Tipo FET: | N and P-Channel |
Característica FET: | Logic Level Gate |
Descrição expandida: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 2.5A, 570mA 830mW, 83mW Surface Mount 6-TSOP |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
Descrição: | MOSFET N/P-CH 20V 2.5A 6TSOP |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.5A, 570mA |
Email: | [email protected] |