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BSO615C G
- Modelo do Produto:
- BSO615C G
- Descrição:
- MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15054 Pieces
- Ficha de dados:
- BSO615C G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para BSO615C G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para BSO615C G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-DSO-8 |
| Série: | SIPMOS® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 110 mOhm @ 3.1A, 10V |
| Power - Max: | 2W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes: | BSO615C BSO615C G-ND BSO615CG BSO615CGHUMA1 BSO615CGT BSO615CGXT BSO615CINTR SP000216311 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 12 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | BSO615C G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 380pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 22.5nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Descrição expandida: | Mosfet Array N and P-Channel 60V 3.1A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8 |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 3.1A, 2A |
| Email: | [email protected] |
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