DMTH6010SK3-13
DMTH6010SK3-13
Modelo do Produto:
DMTH6010SK3-13
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 16.3A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19851 Pieces
Ficha de dados:
DMTH6010SK3-13.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-252
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:8 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:DMTH6010SK3-13DITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:DMTH6010SK3-13
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1940pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:36.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 16.3A (Ta), 70A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount TO-252
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 16.3A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:16.3A (Ta), 70A (Tc)
Email:[email protected]

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