GA100JT17-227
GA100JT17-227
Modelo do Produto:
GA100JT17-227
Fabricante:
GeneSiC Semiconductor
Descrição:
TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18733 Pieces
Ficha de dados:
GA100JT17-227.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):3.42V
Tecnologia:SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10 mOhm @ 100A
Dissipação de energia (Max):535W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Outros nomes:1242-1314
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:18 Weeks
Número de peça do fabricante:GA100JT17-227
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:14400pF @ 800V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:-
Característica FET:-
Descrição expandida:1700V (1.7kV) 160A 535W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1700V (1.7kV)
Descrição:TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:160A
Email:[email protected]

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