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IPD60R800CEATMA1
- Modelo do Produto:
- IPD60R800CEATMA1
- Descrição:
- MOSFET N-CH 600V TO-252-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19979 Pieces
- Ficha de dados:
- IPD60R800CEATMA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IPD60R800CEATMA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IPD60R800CEATMA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 170µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-252-3 |
| Série: | CoolMOS™ CE |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 800 mOhm @ 2A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 48W (Tc) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | IPD60R800CEATMA1DKR |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de peça do fabricante: | IPD60R800CEATMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 373pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 600V 5.6A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount TO-252-3 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 600V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 5.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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