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IRF6602
- Modelo do Produto:
- IRF6602
- Descrição:
- MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 14245 Pieces
- Ficha de dados:
- IRF6602.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IRF6602, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IRF6602 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DIRECTFET™ MQ |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 13 mOhm @ 11A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.3W (Ta), 42W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DirectFET™ Isometric MQ |
| Outros nomes: | IRF6602TR |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de peça do fabricante: | IRF6602 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1420pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 18nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 20V 11A (Ta), 48A (Tc) 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MQ |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 20V 11A DIRECTFET |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 11A (Ta), 48A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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