IRF6608
IRF6608
Modelo do Produto:
IRF6608
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12853 Pieces
Ficha de dados:
IRF6608.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ ST
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9 mOhm @ 13A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.1W (Ta), 42W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric ST
Outros nomes:IRF6608TR
SP001524584
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Número de peça do fabricante:IRF6608
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2120pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:24nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 13A (Ta), 55A (Tc) 2.1W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ ST
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:13A (Ta), 55A (Tc)
Email:[email protected]

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