IRFH5020TRPBF
IRFH5020TRPBF
Modelo do Produto:
IRFH5020TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16909 Pieces
Ficha de dados:
IRFH5020TRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PQFN (5x6)
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:55 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerTDFN
Outros nomes:IRFH5020TRPBF-ND
IRFH5020TRPBFTR
SP001575478
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:IRFH5020TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2290pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:54nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 5.1A (Ta) 3.6W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 5.1A 8VQFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.1A (Ta)
Email:[email protected]

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