IRFH5053TR2PBF
IRFH5053TR2PBF
Modelo do Produto:
IRFH5053TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14802 Pieces
Ficha de dados:
IRFH5053TR2PBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.9V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PQFN (5x6) Single Die
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 9.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.1W (Ta), 8.3W (Tc)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:IRFH5053TR2PBFDKR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IRFH5053TR2PBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1510pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 9.3A (Ta), 46A (Tc) 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 9.3A PQFN56
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9.3A (Ta), 46A (Tc)
Email:[email protected]

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