IRFH7110TRPBF
IRFH7110TRPBF
Modelo do Produto:
IRFH7110TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16053 Pieces
Ficha de dados:
IRFH7110TRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 100µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-PQFN (5x6)
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:13.5 mOhm @ 35A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.6W (Ta), 104W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-TQFN Exposed Pad
Outros nomes:IRFH7110TRPBFTR
SP001575620
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:IRFH7110TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3240pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:87nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 11A (Ta), 58A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N CH 100V 11A PQFN 5X6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Ta), 58A (Tc)
Email:[email protected]

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