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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTP14N60PM
IXTP14N60PM
IXTP14N60PM
Modelo do Produto:
IXTP14N60PM
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17858 Pieces
Ficha de dados:
IXTP14N60PM.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5.5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220 Isolated Tab
Série:PolarHV™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:550 mOhm @ 7A, 10V
Dissipação de energia (Max):75W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Isolated Tab
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTP14N60PM
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2500pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:36nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 7A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 7A TO-220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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