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MVDF2C03HDR2G
- Modelo do Produto:
- MVDF2C03HDR2G
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15061 Pieces
- Ficha de dados:
- MVDF2C03HDR2G.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para MVDF2C03HDR2G, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para MVDF2C03HDR2G por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SOIC |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 70 mOhm @ 3A, 10V |
| Power - Max: | 2W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | MVDF2C03HDR2G |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 630pF @ 24V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
| Tipo FET: | N and P-Channel Complementary |
| Característica FET: | Logic Level Gate |
| Descrição expandida: | Mosfet Array N and P-Channel Complementary 30V 4.1A, 3A 2W Surface Mount 8-SOIC |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 4.1A, 3A |
| Email: | [email protected] |
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