NTLJD2105LTBG
Modelo do Produto:
NTLJD2105LTBG
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13852 Pieces
Ficha de dados:
NTLJD2105LTBG.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-WDFN (2x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:50 mOhm @ 4A, 4.5V
Power - Max:520mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTLJD2105LTBG
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Standard
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 8V 2.5A 520mW Surface Mount 6-WDFN (2x2)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):8V
Descrição:MOSFET N/P-CH 8V 2.5A 6-WDFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.5A
Email:[email protected]

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