Comprar NTMSD3P102R2SG com BYCHPS
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| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 8-SOIC |
| Série: | FETKY™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 730mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Temperatura de operação: | - |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Número de peça do fabricante: | NTMSD3P102R2SG |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 750pF @ 16V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 25nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | Schottky Diode (Isolated) |
| Descrição expandida: | P-Channel 20V 2.34A (Ta) 730mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2.34A (Ta) |
| Email: | [email protected] |