R6006ANDTL
R6006ANDTL
Modelo do Produto:
R6006ANDTL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15991 Pieces
Ficha de dados:
R6006ANDTL.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:CPT3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.2 Ohm @ 3A, 10V
Dissipação de energia (Max):40W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:R6006ANDTLTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:R6006ANDTL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:460pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:15nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 6A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount CPT3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:6A (Tc)
Email:[email protected]

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