RYM002N05T2CL
RYM002N05T2CL
Modelo do Produto:
RYM002N05T2CL
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14297 Pieces
Ficha de dados:
1.RYM002N05T2CL.pdf2.RYM002N05T2CL.pdf3.RYM002N05T2CL.pdf4.RYM002N05T2CL.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:800mV @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:VMT3
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max):150mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-723
Outros nomes:RYM002N05T2CL-ND
RYM002N05T2CLTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:RYM002N05T2CL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:26pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 50V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VMT3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):0.9V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):50V
Descrição:MOSFET N-CH 50V 0.2A VMT3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:200mA (Ta)
Email:[email protected]

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