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SPD08P06PGBTMA1
- Modelo do Produto:
- SPD08P06PGBTMA1
- Descrição:
- MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 20698 Pieces
- Ficha de dados:
- SPD08P06PGBTMA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SPD08P06PGBTMA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SPD08P06PGBTMA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO252-3 |
| Série: | SIPMOS® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 300 mOhm @ 10A, 6.2V |
| Dissipação de energia (Max): | 42W (Tc) |
| Embalagem: | Original-Reel® |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | SPD08P06PGBTMA1DKR |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | SPD08P06PGBTMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 420pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 13nC @ 10V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 60V 8.83A (Ta) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 6.2V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 60V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 8.83A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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