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SSM3J108TU(TE85L)
- Modelo do Produto:
- SSM3J108TU(TE85L)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18235 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.SSM3J108TU(TE85L).pdf2.SSM3J108TU(TE85L).pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para SSM3J108TU(TE85L), temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para SSM3J108TU(TE85L) por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | UFM |
| Série: | U-MOSIII |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 158 mOhm @ 800mA, 4V |
| Dissipação de energia (Max): | 500mW (Ta) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | 3-SMD, Flat Leads |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | SSM3J108TU(TE85L) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 250pF @ 10V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | - |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 20V |
| Descrição: | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 1.8A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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