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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SSM6N15AFE,LM
SSM6N15AFE,LM
SSM6N15AFE,LM
Modelo do Produto:
SSM6N15AFE,LM
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17032 Pieces
Ficha de dados:
1.SSM6N15AFE,LM.pdf2.SSM6N15AFE,LM.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1.5V @ 100µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:ES6 (1.6x1.6)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:4 Ohm @ 10mA, 4V
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:SSM6N15AFE,LM(A
SSM6N15AFE,LM(B
SSM6N15AFE,LM(T
SSM6N15AFE,LMTR
SSM6N15AFELM
SSM6N15AFELMTR
SSM6N15FE (TE85L,F)
SSM6N15FE(TE85L,F)
SSM6N15FE(TE85LF)TR
SSM6N15FE(TE85LF)TR-ND
SSM6N15FETE85LF
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SSM6N15AFE,LM
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7.8pF @ 3V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 100mA 150mW Surface Mount ES6 (1.6x1.6)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 0.1A ES6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100mA
Email:[email protected]

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