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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SSM6N56FE,LM
SSM6N56FE,LM
SSM6N56FE,LM
Modelo do Produto:
SSM6N56FE,LM
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15856 Pieces
Ficha de dados:
SSM6N56FE,LM.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor:ES6
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:235 mOhm @ 800mA, 4.5V
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:SSM6N56FE,LM(B
SSM6N56FE,LM(T
SSM6N56FELMTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM6N56FE,LM
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:55pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate, 1.5V Drive
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 800mA 150mW Surface Mount ES6
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET 2N-CH 20V 0.8A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:800mA
Email:[email protected]

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