TPC8109(TE12L)
Modelo do Produto:
TPC8109(TE12L)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
16072 Pieces
Ficha de dados:
1.TPC8109(TE12L).pdf2.TPC8109(TE12L).pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP (5.5x6.0)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Original-Reel®
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Outros nomes:TPC8109DKR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TPC8109(TE12L)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2260pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:45nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 10A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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