TPC8110(TE12L,Q,M)
Modelo do Produto:
TPC8110(TE12L,Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16202 Pieces
Ficha de dados:
1.TPC8110(TE12L,Q,M).pdf2.TPC8110(TE12L,Q,M).pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 1mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP (5.5x6.0)
Série:U-MOSIII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:25 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TPC8110(TE12L,Q,M)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2180pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 40V 8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET P-CH 40V 8A SOP8 2-6J1B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:8A (Ta)
Email:[email protected]

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