TPC8129,LQ(S
TPC8129,LQ(S
Modelo do Produto:
TPC8129,LQ(S
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14420 Pieces
Ficha de dados:
1.TPC8129,LQ(S.pdf2.TPC8129,LQ(S.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2V @ 200µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP
Série:U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:22 mOhm @ 4.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):1W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes:TPC8129LQ(S
TPC8129LQS
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:TPC8129,LQ(S
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1650pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 9A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 9A 8SOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:9A (Ta)
Email:[email protected]

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