FDU6030BL
FDU6030BL
Modelo do Produto:
FDU6030BL
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15721 Pieces
Ficha de dados:
FDU6030BL.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:IPAK (TO-251)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:16 mOhm @ 10A, 10V
Dissipação de energia (Max):3.8W (Ta), 50W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDU6030BL
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1143pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:31nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 10A (Ta), 42A (Tc) 3.8W (Ta), 50W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 10A I-PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta), 42A (Tc)
Email:[email protected]

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