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IPD60N10S4L12ATMA1
- Modelo do Produto:
- IPD60N10S4L12ATMA1
- Descrição:
- MOSFET N-CH TO252-3
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15921 Pieces
- Ficha de dados:
- IPD60N10S4L12ATMA1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IPD60N10S4L12ATMA1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IPD60N10S4L12ATMA1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.1V @ 46µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±16V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | PG-TO252-3-313 |
| Série: | Automotive, AEC-Q101, HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 12 mOhm @ 60A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 94W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes: | IPD60N10S4L12ATMA1-ND IPD60N10S4L12ATMA1TR SP000866550 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 26 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | IPD60N10S4L12ATMA1 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3170pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 49nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 60A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 4.5V, 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH TO252-3 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 60A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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