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IRF6662TR1PBF
- Modelo do Produto:
- IRF6662TR1PBF
- Descrição:
- MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14552 Pieces
- Ficha de dados:
- IRF6662TR1PBF.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para IRF6662TR1PBF, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para IRF6662TR1PBF por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4.9V @ 100µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DIRECTFET™ MZ |
| Série: | HEXFET® |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 22 mOhm @ 8.2A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | DirectFET™ Isometric MZ |
| Outros nomes: | IRF6662TR1PBFTR SP001559718 |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | IRF6662TR1PBF |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1360pF @ 25V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 31nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 100V 8.3A (Ta), 47A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MZ |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 100V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 8.3A (Ta), 47A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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