RW1A025APT2CR
RW1A025APT2CR
Modelo do Produto:
RW1A025APT2CR
Fabricante:
LAPIS Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16337 Pieces
Ficha de dados:
RW1A025APT2CR.pdf

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para RW1A025APT2CR, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para RW1A025APT2CR por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar RW1A025APT2CR com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):-8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-WEMT
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:62 mOhm @ 2.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):400mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:RW1A025APT2CRTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:10 Weeks
Número de peça do fabricante:RW1A025APT2CR
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2000pF @ 6V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:16nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 12V 2.5A (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET P-CH 12V 2.5A WEMT6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2.5A (Ta)
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações