SIJ800DP-T1-GE3
SIJ800DP-T1-GE3
Modelo do Produto:
SIJ800DP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12613 Pieces
Ficha de dados:
SIJ800DP-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PowerPAK® SO-8
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:9.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:PowerPAK® SO-8
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SIJ800DP-T1-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2400pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:56nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 40V 20A (Tc) 4.2W (Ta), 35.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Escorra a tensão de fonte (Vdss):40V
Descrição:MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:20A (Tc)
Email:[email protected]

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