SSM3J46CTB(TPL3)
SSM3J46CTB(TPL3)
Modelo do Produto:
SSM3J46CTB(TPL3)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15592 Pieces
Ficha de dados:
1.SSM3J46CTB(TPL3).pdf2.SSM3J46CTB(TPL3).pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 1mA
Vgs (Max):±8V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:CST3B
Série:U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:103 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:3-SMD, No Lead
Outros nomes:SSM3J46CTB (TPL3)
SSM3J46CTB(TPL3)TR
SSM3J46CTBTPL3
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:11 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM3J46CTB(TPL3)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:290pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:4.7nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 20V 2A (Ta) Surface Mount CST3B
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET P-CH 20V 2A CST3B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:2A (Ta)
Email:[email protected]

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