Comprar TPH3208LD com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 2.6V @ 300µA |
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Vgs (Max): | ±18V |
Tecnologia: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | PQFN (8x8) |
Série: | - |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 130 mOhm @ 13A, 8V |
Dissipação de energia (Max): | 96W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | 4-PowerDFN |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Surface Mount |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
Tempo de entrega padrão do fabricante: | 14 Weeks |
Número de peça do fabricante: | TPH3208LD |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 760pF @ 400V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 14nC @ 8V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 650V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | - |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
Descrição: | GAN FET 650V 20A PQFN88 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 20A (Tc) |
Email: | [email protected] |