Português
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Sobre Nós | Contacte-nos | Solicitar um orçamento |
Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TPH3212PS
TPH3212PS
TPH3212PS
Modelo do Produto:
TPH3212PS
Fabricante:
Transphorm
Descrição:
GAN FET 650V 27A TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17488 Pieces
Ficha de dados:
TPH3212PS.pdf
inquérito

Introdução

BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TPH3212PS, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TPH3212PS por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Comprar TPH3212PS com BYCHPS
Compre com garantia

Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.6V @ 400uA
Vgs (Max):±18V
Tecnologia:GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:72 mOhm @ 17A, 8V
Dissipação de energia (Max):104W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:14 Weeks
Número de peça do fabricante:TPH3212PS
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1130pF @ 400V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 8V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):-
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:GAN FET 650V 27A TO220
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:27A (Tc)
Email:[email protected]

Pedido de Orçamento Rápido

Modelo do Produto
Quantidade
Empresa
O email
Telefone
Observações

Peças relacionadas para TPH3212PS

Imagem Modelo do Produto Fabricantes Descrição Visão
TPH3202LS Image TPH3202LS Transphorm GAN FET 600V 9A PQFN88 inquérito
TPH3206LDGB Image TPH3206LDGB Transphorm GAN FET 650V 16A PQFN88 inquérito
STE26NA90 Image STE26NA90 STMicroelectronics MOSFET N-CH 900V 26A ISOTOP inquérito
TPH3206PD Image TPH3206PD Transphorm GAN FET 600V 17A TO220 inquérito
TPH3206LDB Transphorm GAN FET 650V 16A PQFN88 inquérito
TPH3206LD Image TPH3206LD Transphorm GAN FET 600V 17A PQFN88 inquérito
TPH3202LD Image TPH3202LD Transphorm GAN FET 600V 9A PQFN88 inquérito
TPH3205WSBQA Transphorm GAN FET 650V 35A TO247 inquérito
TPH3205WSB Image TPH3205WSB Transphorm GAN FET 650V 36A TO247 inquérito
TPH3202PD Image TPH3202PD Transphorm GAN FET 600V 9A TO220 inquérito
TPH3206LS Image TPH3206LS Transphorm GAN FET 600V 17A PQFN88 inquérito
TPH3206PSB Transphorm GAN FET 650V 16A TO220 inquérito
TPH3208LDG Image TPH3208LDG Transphorm GAN FET 650V 20A PQFN88 inquérito
TPH3208LS Image TPH3208LS Transphorm GAN FET 650V 20A PQFN88 inquérito
TPH3207WS Image TPH3207WS Transphorm GAN FET 650V 50A TO247 inquérito
TPH3208LD Image TPH3208LD Transphorm GAN FET 650V 20A PQFN88 inquérito
TPH3202PS Image TPH3202PS Transphorm GAN FET 600V 9A TO220 inquérito
TPH3206PS Image TPH3206PS Transphorm GAN FET 600V 17A TO220 inquérito
TPH3208PS Image TPH3208PS Transphorm GAN FET 650V 20A TO220 inquérito
TPH3206LSB Transphorm GAN FET 650V 16A PQFN88 inquérito

Latest Notícias